米上院、半導体の国内生産強化、先端技術支援へ　法案可決

　米上院は8日、半導体の国内生産強化や先端技術研究に約2500億ドル（約27兆円）を充てる「米技術革新・競争法案」を可決した。先端技術分野で台頭する中国の国家主導の産業育成策に対抗し、米国の技術競争力を強化する狙い。同法案は下院に送付され、審議が行われる。バイデン政権は法案への支持を表明しており、今秋までに成立する可能性がある。

　賛成68、反対32の賛成多数で可決した。法案は、米国内での半導体生産や研究開発に5年間で約500億ドルを投じることを盛り込んだ。半導体産業の国内回帰を促すため、米半導体大手インテルや台湾の受託生産大手・台湾積体電路製造（TSMC）、韓国のサムスン電子などが計画する米国内での工場建設を政府が直接支援する狙い。