ラピダス・東会長「1.4ナノ世代の半導体も」 世界最先端目指す

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インタビューに答えるラピダスの東哲郎会長=東京都千代田区で2023年4月26日、前田梨里子撮影
インタビューに答えるラピダスの東哲郎会長=東京都千代田区で2023年4月26日、前田梨里子撮影

 次世代半導体の国産化を目指す新会社「ラピダス」が、回路線幅2ナノメートル(ナノは10億分の1)世代に加え、さらに高性能の同1・4ナノ世代の半導体開発を進めることが分かった。東哲郎会長が26日、毎日新聞の単独インタビューで明らかにした。世界の半導体開発競争で最先端レベルを目指すことになる。

 ラピダスは北海道千歳市に半導体生産工場を建設し、2025年に試作ラインを立ち上げ、27年をめどに2ナノ世代の量産化を目指している。半導体基板となる直径300ミリのウエハーで、月2万~3万枚を生産することを想定している。

 ラピダスは昨年12月、米IBMが持つ2ナノ世代の製造技術についてライセンス契約を結び、今月からニューヨーク州のIBM研究拠点で共同開発を開始した。ベルギーの国際研究機関「imec(アイメック)」とも技術開発を進めている。

 東会長はインタビューで、ラピダスの開発は2ナノ世代にとどまらず、…

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